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和傳統(tǒng)的Si器件相比，GaN HEMT具有更高的開關(guān)頻率與更小的開關(guān)損耗，在快充、數(shù)據(jù)中心、光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等市場(chǎng)都有著廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。然而，GaN HEMT 柵源耐壓范圍較窄、開啟閾值也很低，對(duì)驅(qū)動(dòng)回路的干擾與噪聲會(huì)比較敏感，并且高頻開關(guān)下的dv/dt容易產(chǎn)生共模干擾問題，對(duì)驅(qū)動(dòng)IC提出了更高的要求。納芯微推出GaN HEMT專用驅(qū)動(dòng)IC和功率芯片產(chǎn)品，具有高可靠性、高共模瞬變抗擾度（CMTI）、低傳輸延時(shí)等特點(diǎn)，助力于充分發(fā)揮GaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì)。
產(chǎn)品類別
